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Piso 5, Helen International building, 778 Baoshan road, Hongkou district, Shanghai
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硫硒化钼晶体 MoSSe (diseleniuro de sulfuro de molibdeno)
晶体尺寸:~6毫米
电学性能:半导体
晶体结构:六边形
晶胞参数:取决于合金成分: a = b = 0,31 -0,33 nm y c = 1,21 -1,29 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶体类型:合成
晶体纯度: >99.995%

Difracción de rayos X en un monocristal de MoSSe alineado a lo largo del plano (001). XRD se realizó a temperatura ambiente usando un D8 Venture Bruker. Los 5 picos XRD corresponden, de izquierda a derecha, a (00l) con l = 2, 4, 6, 8, 10

Difracción de rayos X en polvo (XRD) de un solo cristal MoSSe. La difracción de rayos X se realizó a temperatura ambiente usando un D8 Venture Bruker.

Análisis estoquiométrico de un solo cristal MoSSe mediante espectroscopia de rayos X dispersiva de energía (EDX).

Espectro Raman de un solo cristal MoSSe. La medición se realizó con un sistema Raman de 785 nm a temperatura ambiente.