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Piso 5, Helen International building, 778 Baoshan road, Hongkou district, Shanghai
Shanghai junna Technology co., Ltd.
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硒化锗晶体 GeSe (selenuro de germanio)
晶体尺寸:~10毫米
电学性能:半导体
晶体结构:斜方晶系
晶胞参数: a = 0,383 nm, b = 0,440 nm, c = 1,078 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型:合成
晶体纯度: >99.995%

Difracción de rayos X en un cristal único GeSe alineado a lo largo del plano (100). XRD se realizó a temperatura ambiente usando un D8 Venture Bruker. Los 4 picos XRD corresponden, de izquierda a derecha, a (h00) con h = 2, 4, 6, 8

Difracción de rayos X en polvo (XRD) de un solo cristal GeSe. La difracción de rayos X se realizó a temperatura ambiente usando un D8 Venture Bruker.

Análisis estoquiométrico de un solo cristal GeSe mediante espectroscopia de rayos X dispersiva de energía (EDX).

Espectro Raman de un solo cristal GeSe. La medición se realizó con un sistema Raman de 785 nm a temperatura ambiente.