Mose2 cristal de molibdeno disuelto

Nuestros cristales de MoSe2 se cultivan utilizando dos técnicas diferentes a través del transporte de vapor químico (CVT) o el crecimiento de la zona de flujo (ver la descripción de estos dos métodos a continuación). Estos cristales son tratados como estándares de oro en el campo de materiales 2D debido a un comportamiento óptico y electrónico perfeccionado. Nuestros cristales de MoSe2 son notoriamente conocidos por poseer anchos de banda PL extremadamente estrechos, mostrar espectros PL limpios, sin hombros excitónicos unidos a bajas temperaturas, alta movilidad de portadores, picos XRD extremadamente limpios y afilados y una cantidad insignificante de defectos (ver los resultados publicados, así como los métodos basados en CVT vs. Flux a continuación). Estos son los únicos cristales MoSe2 disponibles comercialmente con respuesta valleytrónica garantizada, PL afilado y buena respuesta electrónica.

Propiedades de un solo cristal vdW MoSe2

El método de crecimiento importa > ¿Zona de flujo o método de crecimiento CVT? La contaminación de haluros y defectos puntuales en cristales en capas son una causa bien conocida de su movilidad electrónica reducida, respuesta anisotrópica reducida, recombinación e-h pobre, emisión de PL baja y absorción óptica menor. La técnica de zona de flujo es una técnica libre de haluros usada para sintetizar cristales vdW de grado verdaderamente semiconductor. Este método se distingue de la técnica de transporte de vapor químico (CVT) en el siguiente sentido: CVT es un método de crecimiento rápido (~2 semanas) pero presenta una calidad cristalina pobre y la concentración de defecto alcanza el intervalo de 1E11 a 1E12 cm-2. Por el contrario, el método de flujo toma un tiempo de crecimiento largo (~ 3 meses), pero asegura una cristalización lenta para una estructuración atómica perfecta y un crecimiento de cristales libres de impurezas con una concentración de defecto tan baja como 1E9 - 1E10 cm-2. Durante el check out, solo indique qué tipo de proceso de crecimiento se prefiere. A menos que se indique lo contrario, 2Dsemiconductors envía cristales de zona de flujo como opción predeterminada.

http://meetings.aps.org/Meeting/MAR18/Session/K36.3

http://meetings.aps.org/Meeting/MAR17/Session/V1.14

Publicaciones de este producto

Resumen: Publicaciones de equipos de MIT, Berkeley, Stanford, Rice y Harvard en revistas como Nature, Nature Communications, Nano Letters y Advanced Materials

Control de la Coherencia del Valle de Exciton en Monocapas de Dicalcogénuro de Metales de Transición, Phys. El reverendo Lett. 117, 187401 (2016)

Medición de la función dieléctrica óptica de dichalcogénuros de metales de transición monocapa: MoS2, MoSe2, WS2 y WSe2, Yilei Li, Alexey Chernikov, Xian Zhang, Albert Rigosi, Heather M. Hill, Arend M. van der Zande, Daniel A. Chenet, En-Min Shih, James Hone y Tony F. Heinz; Phys. Rev. B 90, 205422 (2014)

Y. Jin 'A Van Der Waals Homojunction: Ideal p–n Diode Behavior in MoSe2' Advanced Materials 27, 5534–5540 (2015)

Tongay et al. 'Defectos activados fotoluminescencia en semiconductores bidimensionales: interacción entre excitones ligados, cargados y libres' Informes Científicos 3, Número de artículo: 2657 (2013)

M. Yankowitz et al. 'Trastorno intrínseco en el grafeno en las heteroestructuras de dicalcogénido de metal de transición' Nano Cartas, 2015, 15 (3), pp 1925–1929

Tongay et al. Crossover accionado térmicamente de la banda indirecta hacia la banda directa en semiconductores 2D: MoSe2 versus MoS2; Nano Letters, 2012, 12 (11), pp. 5576–5580

Manish Chhowalla, 'Semiconductores bidimensionales para transistores' Nature Reviews Materiales 1, Número de artículo: 16052 (2016) doi:10.1038/natrevmats.2016.52

X Li et al. 'Determinación del número de capas de escamos bidimensionales de dichalcogénidos de metales de transición por la intensidad de Raman de sustratos' Nanotecnología 27 (2016) 145704

L. Zhang. et.al. 'Photonic-crystal exciton-polaritons in monolayer semiconductors' Nature Communications volumen 9, Número de artículo: 713 (2018)