Cristal de selenio de galio gase (gallium selenide)

A diferencia de otras fuentes, nuestros cristales de GaSe son los más adecuados para aplicaciones electrónicas y ópticas en el campo de materiales 2D. Nuestros cristales de GaSe (selenuro de galio) se han sintetizado a través de tres técnicas de crecimiento diferentes, a saber, el crecimiento Bridgman, el transporte químico de vapor (CVT) y el crecimiento de la zona de flujo, para optimizar los tamaños de granos y reducir las concentraciones de defectos. Los grandes tamaños de grano y los defectos controlados le permiten producir monocapas a través de un proceso de exfoliación simple con altos rendimientos, obtener una alta movilidad electrónica y tiempos de recombinación de excitación ideales. Por defecto, 2Dsemiconductors USA proporciona cristales GaSe de crecimiento Bridgman cortados en la dirección 0001 listos para la exfoliación. Sin embargo, si su investigación necesita CVT o GaSe cultivado en zona de flujo, por favor deje una nota durante el check-out.
Propiedades de los cristales vdW GaSe - 2Dsemiconductors España

El método de crecimiento importa > ¿Zona de flujo o método de crecimiento CVT? La contaminación de haluros y defectos puntuales en cristales en capas son una causa bien conocida de su movilidad electrónica reducida, respuesta anisotrópica reducida, recombinación e-h pobre, emisión de PL baja y absorción óptica menor. La técnica de zona de flujo es una técnica libre de haluros usada para sintetizar cristales vdW de grado verdaderamente semiconductor. Este método se distingue de la técnica de transporte de vapor químico (CVT) en el siguiente sentido: CVT es un método de crecimiento rápido (~2 semanas) pero presenta una calidad cristalina pobre y la concentración de defecto alcanza el intervalo de 1E11 a 1E12 cm-2. Por el contrario, el método de flujo toma un tiempo de crecimiento largo (~ 3 meses), pero asegura una cristalización lenta para una estructuración atómica perfecta y un crecimiento de cristales libres de impurezas con una concentración de defecto tan baja como 1E9 - 1E10 cm-2. Durante el check out, solo indique qué tipo de proceso de crecimiento se prefiere. A menos que se indique lo contrario, 2Dsemiconductors envía cristales de zona de flujo como opción predeterminada.

1. Revista de Nanoelectrónica y Optoelectrónica Vol. 7, 1-3, 2012
2. ACS Nano, 2012, 6 (7), pp 5988-5994