Solución de óxido de Grafeno

Análogo semiconductor del grafeno: El óxido de grafeno se ha sintetizado en nuestras instalaciones de I+D utilizando la técnica de reacción modificada de Hummer en solución dispersante en agua. La técnica de crecimiento hace hincapié en minimizar la densidad del defecto para producir material ópticamente activo e incrementar el tamaño medio del grano (tamaño de escamo). A diferencia de muchos otros óxidos de grafeno, este producto es ópticamente activo y está listo para la investigación de semiconductores 2D. Cada lote de crecimiento se ha caracterizado mediante espectroscopia de electrones Auger y fotoelectrones de rayos X para determinar la esteicometría; Raman, espectroscopia PL y absorción óptica para pruebas de propiedades ópticas; Medidas de AFM para la planura atómica. El producto muestra PL a ~ 2,5 eV, subbandas a 2,2 y 2,0 eV, y líneas de defecto amplias a 1,7 eV. Las mediciones de espectroscopia de Raman dan picos D, G, 2D y G + D. Las muestras vienen completamente saturadas con oxígeno y las propiedades ópticas del material se pueden ajustar mediante un tratamiento térmico simple. El producto es ideal para producir monocapa sobre diversos sustratos en un plazo de 2-10 minutos. La concentración de solución monocapa se fija a 92 mg/L.