El microscopio de escaneo ultrasónico es una herramienta práctica de pruebas no destructivas. El producto utiliza principalmente ultrasonido de alta frecuencia para detectar todo tipo de dispositivos y materiales semiconductores, que pueden detectar defectos como poros, grietas, mezclas y estratificación en el interior de la muestra, y se muestran intuitivamente de manera gráfica. Durante el proceso de escaneo, no se causarán daños a la muestra y no se afectará el rendimiento de la muestra. Por lo tanto, es ampliamente utilizado en dispositivos semiconductores y pruebas de encapsulamiento, pruebas de materiales,IGBTDetección de productos de módulos de potencia y otras ocasiones.

apoyoUna,C. B.,CEscaneo, escaneo de transmisión, escaneo multicapa,JEDECModo de escaneo como escaneo de bandeja y medición de espesor. La imagen disponible muestra la ubicación, forma y tamaño de los defectos internos de la pieza medida, y realiza estadísticas de tamaño y área de los defectos, calculando automáticamente el porcentaje de defectos en el área medida.

Áreas de aplicación:

Dispositivos semiconductores y pruebas de encapsulamiento:

Dispositivos discretos..IGBT / SiC), sustrato cerámico, sello plásticoIC, dispositivos fotoeléctricos, dispositivos de potencia de microondas,MEMSDispositivos, chips invertidos, apilamientoapilado Die,MCMMódulos multichip, etc.

Detección de materiales:

Cerámica, vidrio, metal, plástico, piezas de soldadura, radiadores refrigerados por agua, etc.

IGBTDetección de productos de módulos de potencia:

implementarIGBTPruebas no destructivas de defectos en la interfaz interna y la estructura del módulo, encontradas con precisiónIGBTProblemas en materiales y procesos modulares, selección de productos no calificados y promociónIGBTMejora de la calidad de encapsulamiento del módulo.

Características técnicas básicas

Adquisición simultánea de múltiples parámetros: adquisición simultánea de múltiples parámetros clave como amplitud, fase, velocidad del sonido y coeficiente de atenuación del ultrasonido, que es más completo que la detección de un solo parámetro.

Imágenes de alta resolución: utilizando ultrasonido de alta frecuencia (generalmenteMHz-GHzNivel), que puede lograr una resolución A nivel de micras o incluso nanómetros, mostrando claramente la microestructura.

Características de las pruebas no destructivas: la señal ultrasónica tiene una fuerte penetración y no necesita destruir la muestra, que es adecuada para las pruebas internas de materiales sólidos (metales, semiconductores, materiales compuestos, etc.).

Principales escenarios de aplicación

Campo de la fabricación electrónica: detección de agujeros internos, grietas, defectos de unión en chips semiconductores y envases, yPCBEl problema de la estratificación de la placa.

Campo de la ciencia de los materiales: análisis de la uniformidad estructural interna y la permeabilidad de los materiales compuestos, pequeñas grietas y mezclas de materiales metálicos.

Campo de inspección de calidad industrial: detección de calidad interna de piezas mecánicas de precisión, electrodos de batería, componentes aislantes de transformadores, etc., para garantizar la fiabilidad de los productos.

Indicadores clave de rendimiento

Rango de escaneo: varía de unos pocos milímetros a decenas de centímetros, adaptado a las necesidades de detección de muestras de diferentes tamaños.

Profundidad de detección: según el material de la muestra y la frecuencia de ultrasonido, la profundidad varía de micras a centímetros, la alta frecuencia es adecuada para la detección microscópica superficial y la baja frecuencia es adecuada para la penetración profunda.

Velocidad de imagen: admite el modo de escaneo de alta velocidad, combinado con la optimización del algoritmo, para satisfacer las necesidades de detección por lotes o análisis rápido.