-
Correo electrónico
sales-sci.cn@horiba.com
-
Teléfono
13681872955
-
Dirección
Unidad d, primer piso, edificio a, lianqiang International plaza, 1068 Tianshan West road, Shanghai
Acerca de nosotros
HORIBA (China)
¡Última ciencia de la Universidad de Ciencia y tecnología de beijing: ¡ teoría de contacto de enlace de capa atómica para verificar la viabilidad de la fabricación de chips semiconductores bidimensionales! | mensajería de resultados del usuario
Fecha:2025-12-18Leer:3
La Universidad de Ciencia y tecnología de Beijing publicó su último resultado, "contacto de Unión de capa atómica de semiconductores bidimensionales" (contacto de Unión de capa atómica en dos dimensiones), en science. Los resultados proponen ideas académicas originales de Unión de capas atómicas y desarrollan una nueva tecnología de corte preciso y Epitaxia heterogénea de capas atómicas de materiales semiconductores bidimensionales.Por primera vezSe ha logrado la Unión de capas atómicas de materiales semiconductores bidimensionales con electrodos metálicos, rompiendo el cuello de botella clave de que los materiales semiconductores bidimensionales no pueden satisfacer el presupuesto térmico del proceso de fabricación de canales traseros de circuitos integrados a base de silicio, y obteniendoMínimoResistencia al contacto yóptimoLas propiedades de transporte eléctrico verifican plenamente la viabilidad de los materiales semiconductores bidimensionales en la fabricación de chips en el futuro.
Gao li, postdoctoral y Chen zhangyi, estudiante de doctorado del Instituto de Ciencia y tecnología cruzada de vanguardia de la Universidad de Ciencia y tecnología de beijing, son los primeros autores de la tesis, y el profesor Zhang xiankun, el profesor Zhang Zheng y el académico Zhang Yue son los coautores de la tesis.
Antecedentes de la investigación
EnCircuitos integradosCampos para lograr excelentesPropiedades de contacto entre metales y semiconductoresEs un gran desafío para la fabricación de dispositivos.Fabricación tradicional de dispositivos semiconductoresEn él, a través de la interfaz de contacto entre el metal fuertemente Unido y el semiconductor, se construyen dispositivos de Transistor de baja resistencia al contacto, alta estabilidad térmica y mecánica y excelente conductividad térmica / conductividad eléctrica de la interfaz para satisfacer las necesidades de la Aplicación. Sin embargo, paraCompuestos de azufre de metales de transición bidimensionales sin enlace colgante en la superficie(tmds) en términos de materiales, cómo lograrFuerte contacto de unión con materiales de electrodos metálicosHa estado plagando a los materiales semiconductores bidimensionales.Circuitos integrados de proceso avanzadoLograr avances en la aplicaciónCuello de botella clave.
Resultados de la investigación
Equipo del académico Zhang YuePara impulsarMateriales semiconductores bidimensionalesEnAplicaciones de ingeniería de circuitos integradosOrientado, para metales -Semiconductores bidimensionalesProblemas de contacto, la innovación planteaUnión de capas atómicas(Enlace de capa atómica, ALB) 的Ideas académicas originalesAl eliminar con precisión los átomos de azufre de una sola capa en la superficie del Disulfito de molibdeno, un material semiconductor bidimensional, y depositar directamente el material del electrodo metálico, se construye una interfaz de contacto estable entre la capa monoatómica del metal de transición y la capa monoatómica del electrodo metálico, que se realiza.Regulación precisa de la estructura electrónica y la estructura de celosíaConstruir con éxito tantoAcoplamiento de banda de energía fuerte y alta resistencia de uniónLa interfaz de contacto de Unión de capa Atómica se ha obtenido una resistencia de contacto cercana al límite de contacto teórico, tan baja como 70 Omega μm y una estabilidad térmica y mecánica de hasta 400 ° c, alcanzando el objetivo de la hoja de ruta internacional de tecnología de dispositivos y sistemas semiconductores (irds).Requisitos de aplicación de dispositivos electrónicos de alto rendimiento.
Figura 1 diseño y caracterización de la estructura atómica de los contactos de Unión de capas atómicas (alb)
Figura 2 Rendimiento del Transistor de contacto ALB
Contribución instrumental
Uso de este estudio Espectrómetro Raman confocal horiba hr800(ahora se ha actualizado completamente aLabRAM OdysseySe realizó un análisis de esfuerzo del canal del Transistor mos¿ bajo diferentes modos de contacto, y los resultados confirmaron que el Transistor mos¿ con contacto de capa Atómica (alb) no se vio afectado por el estrés antes y después del calentamiento, mientras que el canal con contacto oro directo sufrió un fuerte esfuerzo de tracción (figura 3).
Figura 3 espectros Raman antes y después del calentamiento de la región del canal del Transistor mos IC con contacto ALB (arriba) y contacto oro directo (abajo)
LabRAM Odyssey
Espectrómetro Raman microconfocal de alta velocidad y alta resolución
La espectrometría Raman es un medio común de caracterización para detectar las características de vibración de la red cristalina y las propiedades físicas de los fonones. Con su resolución hiperespectral, horiba labram Odyssey se puede utilizar para la identificación de capas de materiales, detección de defectos, análisis de estrés y análisis estructural. El dispositivo, combinado con la técnica de microscopía de enfoque común, puede inhibir eficazmente la interferencia de luz parábola y, por lo tanto, obtener datos espectrales de Raman con alta relación señal - ruido. Su diseño abierto también admite funciones de imagen multimodal como armónicos secundarios integrados (shg), polarización y fotocorriente.
Resumen y perspectivas
El contacto de Unión de capa Atómica (alb) actúa comoResolver el problema de la interfaz de contacto entre semiconductores bidimensionales y electrodos metálicosLa nueva ruta tecnológica,AvanceEl cuello de botella clave para limitar el desarrollo industrial de materiales semiconductores bidimensionalesUn fuerte impulsoLos dispositivos semiconductores bidimensionales se han desarrollado desde el laboratorio hasta la fabricación a gran escala.
Introducción del autor
Zhang YueAcadémico del Instituto de Ciencia y tecnología cruzada de vanguardia
Se dedica a la investigación de materiales semiconductores de baja dimensión y su comportamiento de servicio, se compromete a combinar la investigación de vanguardia de materiales semiconductores de baja dimensión con las principales necesidades nacionales, y ha hecho importantes contribuciones sistemáticas e innovadoras a la teoría básica, la tecnología de preparación y las aplicaciones de ingeniería de materiales y dispositivos clave en los campos de la información, la energía y la detección. Presidió y llevó a cabo más de 60 proyectos, como el Plan Nacional de investigación científica importante y el Plan Nacional de investigación y desarrollo clave, los principales proyectos de la Fundación Nacional de ciencias naturales de china, los principales proyectos de cooperación e intercambio internacional entre el Ministerio de Ciencia y tecnología y la Fundación Nacional de ciencias naturales de china, el plan de innovación disciplinaria de colegios y universidades del Ministerio de educación y la Oficina Estatal de Asuntos exteriores, y los proyectos provinciales y ministeriales. En Science、Nature、Nature Materials、Nature Nanotechnology、Nature Energy、Nature Electronics Más de 450 artículos SCI fueron publicados en revistas nacionales y extranjeras; Escribir y publicar 8 monografías chinas y 5 monografías en inglés. AutorizadoPatentesMás de 100 artículos; Ganó el segundo Premio Nacional de Ciencias naturales, el primer Premio de logros científicos y tecnológicos a nivel provincial y ministerial y el primer Premio de logros docentes a nivel provincial y Ministerial.
Si está interesado en el producto mencionado anteriormente, puede escanear el Código para obtener muestras o mensajes, y nuestros ingenieros se pondrán en contacto con usted a tiempo.
Obtener el libro de muestras↑
Productos de consulta↑
※ el contenido de referencia de este artículo proviene de la cuenta pública: Universidad de Ciencia y tecnología de Beijing